Предложена обобщенная теплоэлектрическая модель биполярного полупроводникового прибора с учетом действующих в приборной структуре механизмов теплоэлектрической обратной связи и наличия в конструкции прибора макродефектов различной физической природы. На ее основе разработаны теплоэлектрические модели высокочастотного мощного биполярного транзистора (МБТ) с дефектами электрофизического и теплофизического вида. Получены зависимости максимального перегрева рабочей поверхности кристалла от размера и месторасположения дефектов. Показано, что температурная зависимость плотности мощности, выделяющейся в структуре МБТ, приводит к нелинейной зависимости максимальной и средней температуры поверхности кристалла от полной потребляемой МБТ мощности. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с экспериментальными зависимостями тепловых сопротивлений переход-корпус конкретных типов МБТ от рассеиваемой мощности.
