Предложена новая информационная технология для обработки и анализа подсистемы дефектов выращивания полупроводниковых кристаллов. На основании набора микрофотографий информационная система строит трехмерное изображение полупроводникового кристалла и выводит статистическую информацию о количестве и размерах найденных в кристалле дефектов. Кроме того, разработан модуль, позволяющий генерировать эталонный набор инфракрасных фотографий для оценки качества распознавания реальных полупроводниковых кристаллов. Анализируя результаты работы информационной системы, исследователи принимают решение о качестве кристаллов и возможной области их применения. Ключевые слова: информационная технология, полупроводниковые кристаллы, распознавание фотографий, трехмерное изображение, вейвлет-преобразования, "виртуальный" кристалл.

Радіоелектронні і комп'ютерні системи [Текст] : наук. - техн. журн. / М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" // Радіоелектронні і комп'ютерні системи ; М-во освіти і науки України, Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харк. авіац. ін-т" - Х. : ХАІ. — Х. : ХАІ, 2015.

• УДК // Дефекти в кристалах
• УДК // Моделювання з використанням математичних моделей