|
Автор: Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г.
-
Анотація:
Описано устройство для осаждения из сублимационного источника слоев кремния подложках стандартной формы - дисках диаметром 52-100 мм. Источник кремния - монокристалл, нагретый до температуры 1300-1380 С, - совершает качание относительно подложки, что позволяет получать слои равномерной толщины и однородно легированные по площади подложки.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Кремній Si/Кремний/Silicon
-
УДК // У вакуумі
| 