Разработаны и изготовлены фотопроводящие дипольные антенны на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хромом (SI-GaAs). Протестировано три типа антенн: антенна-бабочка, трапециевидная и полосковая. Установлено, что при возбуждении фемтосекундным лазером в антеннах на основе SI-GaAs со временем жизни неравновесных носителей заряда порядка 100 нс может быть генерировано терагерцевое излучение в диапазоне 0,05…1,5 ТГц. Обнаружено, что наи- более эффективным излучателем является полосковая антенна длиной 150 мкм. Ключевые слова: дипольная антенна, терагерцевое излучение, полуизолирующий GaAs, терагерцевая спектроскопия.
