Показана возможность одновременного измерения толщины подложки полупроводниковой структуры, толщины и удельной электропроводимости сильнолегированного эпитаксиального слоя в случае, когда исследуемый слой полупроводникового материала играет роль нарушения периодичности СВЧ фотонного кристалла. Для измерения подвижности свободных носителей заряда в сильнолегированном эпитаксиальном слое предложен модифицированный метод СВЧ-магнитосопротивления, основанный на решении обратной задачи с использованием частотных зависимостей коэффициентов прохождения и отражения, измеренных при воздействии магнитного поля и при его отсутствии.

Радиотехника и электроника [Текст] // Радиотехника и электроника ; Институт радиотехники и электроники РАН - М. : Наука. — 2016.

• УДК // Поширення електромагнітних коливань по лініям