Зведений каталог бібліотек Харкова
Арендаренко, А. А. Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем [Текст] / А.А. Арендаренко, В.Н. Данилин, А.А. Макаров, Р.И. Тычкин // . — С. 89-93.
- Анотація:
Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Промоделированы процессы выращивания гетероструктур InAlN/GaN в реакторе со струйным вводом компонентов Aixtron CCS.
- Є складовою частиною документа:
Успехи современной радиоэлектроники [Текст] // Успехи современной радиоэлектроники ( до 2003 г. "Зарубежная радиоэлектроника") - М. : Радиотехника. — 2016.
- Теми документа
