|
Автор: Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Якущева Г.Г., Темирязев А.Г., Щамхалова Б.С., Житов В.А., Захаров Л.Ю.
-
Анотація:
Исследованы тонкие слои твердых фаз, образующихся при нагревании газовой фазы триметилвисмут ? диизопропилселенид ? водород на (0001) Al2O3 и сингулярной и вицинальной поверхностях (100) GaAs. Найдены условия осаждения методом MOCVD металлического Bi, фаз Bi4Se3, BiSe и топологического диэлектрика Bi2Se3. Впервые в чистом виде выделена метастабильная фаза BiSe. Получены пленки Bi2Se3 толщиной 200 нм с относительно низкой объемной концентрацией 3 ? 1018 см-3 и высокой подвижностью 1000 см2 В-1 с-1 носителей заряда при 300 K.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Властивості та структури, виявлені за допомогою рентгенівських променів. Виявлення тонкої структури
-
УДК // Зародження, ріст та розчинення кристалів
-
УДК // Одержання тонких плівок
|
