Рассмотрены особенности туннелирования световых пучков в запрещенной полосе плоскослоистой диэлектрической структуры конечной толщины. При различных соотношениях спектральной ширины падающего наклонного пучка и угловой ширины запрещенной полосы рассчитаны характерные профили прошедших пучков, а также двумерное пространственное распределение интенсивности поля внутри периодической структуры. Вычислены интегральные боковые сдвиги прошедших пучков, определены границы насыщения этих сдвигов при увеличении толщины слоя. Отмечены некоторые особенности туннелирования сходящихся и расходящихся пучков.

Радиотехника и электроника [Текст] // Радиотехника и электроника ; Институт радиотехники и электроники РАН - М. : Наука. — 2016.

• УДК // Особливі явища, спричинені інтерференцією, дифракцією та відбиттям від правильних структур, зокрема, в кристалах