|
Автор: Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В.
-
Анотація:
Описано устройство для однородного нагрева в вакууме до высоких температур (1250–1450°C) как оптически непрозрачных (Si), так и прозрачных (сапфир) подложек большой площади (диаметром до 100 мм). Устройство обеспечивает качественную in situ подготовку поверхности подложек из кремния и сапфира для выращивания на них эпитаксиальных слоев Si, SiGe методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
| 