Исследованы многочастотные лавинно-генераторные диоды (ЛГД) на основе резких Si и GaAs p-n -переходов с высоколегированной n-областью.Рассчитаны временные реализации выходной мощности и приведены проекции аттракторов на двумерное фазовое пространство ЛГД. Выполнен спектральный анализ выходной мощности и определен электронный коэффициент полезного действия.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи