Построены численная и более простая аналитическая модели накопления тепла в сверхвысокочастотных полупроводниковых приборах при воздействии последовательности мощных электрических импульсов. Установлено, что тепло накапливается от импульса к импульсу вплоть до наступления катастрофического отказа, вызванного выгоранием прибора. Показано, что более опасными являются последовательности коротких импульсов, следующих с небольшой скважностью.
