В 1956 г. в США была опубликована статья, в которой впервые описан тринистор — четырёхслойный полупроводниковый прибор с управляемой S-образной вольт-амперной характеристикой. С тех пор ассортимент тринисторных и симисторных структур значительно расширился, но в результате естественного отбора преимущественное распространение получили тринисторы классической структуры. Наряду с неоспоримыми достоинствами, у тринисторов выявились и недостатки: низкое входное сопротивление, неудовлетворительные частотные свойства, значительное падение напряжения на открытом приборе и др. Проблема низкого входного сопротивления была решена созданием в 1981—1984 гг. тринисторов, представляющих собой комбинацию полевого, в том числе с изолированным затвором транзистора, и обычного тринисторов. Ниже приведено несколько схем тринистороподобных структур, построенных с использованием полевых транзисторов с изолированным затвором. Далеко не все они идеальны, но при дальнейшем совершенствовании могут послужить основой для создания тринисторов, обладающих улучшенными свойствами.
