В данной работе исследуется перенос заряда в коротких ( с длиной активной области менее 0.3 мм) диодных структ урах на основе Al2Ga1-zN с целью определения условий возникновения и особенностей ударной ионизации, а также ее влияния на характеристики приборов. Показана возможность получения локализованной области с высокой напряженностью электрического поля, достаточной для возникновения ударной ионизации и управления ею путем изменения распределения состава Al2Ga1-zN по длине диода.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Напівпровідникові діоди