біполярні транзистори, БПТ, биполярные транзисторы, bipolar transistors ; гетеропереходні транзистори, гетеропереходные транзисторы ; мікроелектроніка, микроэлектроника, microelectronics ; напівпровідникові діоди, полупроводниковые диоды ; напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices ; польові транзистори, ПТ, полевые транзисторы, field transistors ; фізика напівпровідників, физика полупроводников

Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. Для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" (210100.62 бакалавр, 210100.68-магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 210108.65 "Микросистемная техника", 010803.65 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", 210601.65 "Нанотехнологии в электронике". Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи