дислокація (техн.), дислокация ; монокристали, монокристаллы ; рідкофазна епітаксія, жидкофазная эпитаксия ; термообробка, термообработка

Автором дисертації розроблені методи керування й підвищення однорідності розподілу структурних й електрофізичних параметрів монокристалів GaAs і епітаксійних шарів (ЕШ), вирощених методом рідкофазної епітаксії (РФЕ). Розглядається вплив часу термообробки, а також часу охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією і структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлений вплив стехіометрії на електрофізичні властивості напівізолюючого нелегованого (НІН) GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Показано перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їхньої щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p-n структур GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання й структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом РФЕ, при використанні ізовалентного металу-розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

• УДК // Кристалізація з розчинів
• УДК // Одержання тонких плівок