аморфні тонкоплівкові структури, аморфные тонкопленочные структуры ; метод великих частинок, метод крупных частиц ; напівпровідникові гетероструктури, полупроводниковые гетероструктуры ; фотоперетворювачі, фотопреобразователи ; чисельно-аналітичні моделі, численно-аналитические модели

В процессе диссертационного исследования рассмотрены основные характеристики и достижения при создании кремниевых фотопреобразователей. Создана и реализована новая численно-аналитическая модель гетероструктур на основе аморфного и монокристаллического кремния (ГАМК), позволяющая проводить расчеты дифференциальных и интегральных характеристик фотопреобразующих структур с учетом плотности состояний в щели подвижности гидрогенизированного аморфного кремния, базирующаяся на решении кинетического уравнения и уравнения Пуассона. Данная система уравнений решается методом крупных частиц. На основе предложенной численно-аналитической модели создан пакет программ моделирования, позволяющий проводить ряд исследований аморфных кремниевых структур и ГАМК, в результате которых были выявлены зависимости основных фотоэлектрических характеристик от их конструктивных параметров.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Фотоелектричні лампи та елементи