гетероструктури, гетероструктуры ; легування, легирование ; перехідні метали, переходные металлы ; рідкофазна епітаксія, жидкофазная эпитаксия ; технологічні режими, технологические режимы

Дисертаційна робота спрямована на розробку та відпрацювання технологічних режимів рідинної епітаксії для росту тонких структурно досконалих гетероструктур, що можуть слугувати базовими елементами при виготовленні приладів оптоелектроніки. Здійснено аналіз можливостей росту методом рідинної епітаксії тонких епітаксій них шарів (ЕШ) для далекого ІЧ-діапазону (18-30 мкм) вільних від дислокацій. Розроблено моделі різних етапів проведення рідинної епітаксії, що дозволило запропонувати рекомендації щодо проведення процесів вирощування та оптимізації технологічних параметрів. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила. Розроблено модель багатошарових структур, вільних від дислокацій невідповідності та технологію їх росту. Проведено легування ЕШ перехідними металами (V, Cr або Mn) та встановлено технологічні режими росту якісних зразків і досліджено їх механічні та електрофізичні властивості. На основі вирощених структур сформовані гетеропереходи та досліджено їх властивості.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Елементи четвертої групи. Метали четвертої та п'ятої групи
• УДК // Фотодіоди