арсенід галію, арсенид галлия ; випромінювання, излучение, Strahlung ; щільність дислокацій, плотность дислокаций ; монокристали, монокристаллы ; стехіометрія, стехиометрия

Виконані експериментальні дослідження основних закономірностей впливу лінійних й точкових дефектів на формування макронеоднорідності люмінесцентних властивостей і механічних напружень в монокристалах арсеніду галію. Встановлено, що неоднорідність їх випромінювальних характеристик визначається неоднорідним розподілом густини дислокацій, ступенем нестехіометрії кристалів і рівнем їх легування як при витяганні злитків з розплаву, так і при різнофазній епітаксіі. Внутрішні механічні напруження у монокристалах напівізолюючого нелегованого арсеніду галію визначаються градієнтом густини дислокацій і співвідношенням концентрацій вакансій миш'яку та галію з урахуванням їх зарядового стану.

• УДК // Дефекти в кристалах
• УДК // Механізм росту. Швидкість росту
• УДК // Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники