інтегральні комутатори, интегральные коммутаторы ; опір, сопротивление, resistance, R ; порогова напруга, пороговое напряжение ; шини живлення, шины питания ; Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor, DMOS

В дисертації удосконалена математична модель опору стік-витік ПМОН-транзистора, що дозволяє визначити оптимальні значення питомого опору та товщини епітаксійного шару, поверхневого опору і довжини витокових областей, що забезпечують мінімальне значення опору транзистора при заданих пробивних напругах. Також запропоновано нову математичну модель порогової напруги та напруги зімкнення стоку та витоку ПМОН-транзисторів, що дозволяє оптимізувати профілі легування р-канальної та витокової областей структури з метою усунення дії короткоканальних ефектів у структурі при зменшенні їх топологічних розмірів. Встановлено, що оптоелектронний комутатор дозволяє здійснювати керування оптичним сигналом виконувальними пристроями, що під'єднюються до додатних і від'ємних шин живлення.

• УДК // Польові транзистори (керовані зовнішніми полями)