|
-
Ключові слова:
міждолинне розсіяння, междолинное рассеяние ; напівпровідники, полупроводники, semiconductors, Halbleiter ; п'єзоопір, пьезосопротивление
-
Анотація:
В дисертаційній роботі показано, що при температурі Т >330 К в міждолинне розсіяння носіїв струму в n-Si суттєвий вклад будугь вносити g-переходи. Виявлено шарувату структуру з декількома типами шарів у CdSb, легованих Tе та In, а наявність градієнтів концентрації може призводити до появи внутрішніх електричних полів між шарами росту. Виявлені зміни електрофізичних параметрів після Y-опромінення монокристалів n-CdSb<ln> пояснюються переважним утворенням в матеріалі радіаційних дефектів акцепторного типу, рівні яких знаходяться в нижній половині забороненої зони, тоді як для монокристалів p-CdSb, n-CdSb<Te> - введенням більшої кількості радіаційних дефектів донорного типу в порівнянні з кількістю радіаційних акцепторів та зміщенням рівня Фермі під дією опромінення в область дозволених енергій.
-
Теми документа
-
УДК // Електронний непорядок (невпорядкованості в структурах електронних оболонок атомів чи іонів). Електронні дефекти
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
|
