Зведений каталог бібліотек Харкова

 

621.315
Т32Темченко, Темченко Володимир Павлович.
    Технології формування функціональних шарів виробів електронної техніки та обладнання для їх реалізації [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 "Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки" / МОНС України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2013. — 21 с.


- Ключові слова:

алмазоподібні вуглецеві плівки, алмазоподобные углеродные пленки ; газодетонаційне осадження, газодетонационное осаждение ; кремній, кремний ; плазохімічне осадження, плазохимическое осаждение ; сонячні елементи, солнечные элементы, solar cells

- Анотація:

В дисертації розроблено нові установки плазмохімічного та газодетонаційного осадження (ГДО) функціональних шарів та відпрацьовано технології формування шарів кремнію та алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) для застосування в напівпровідниковій сонячній енергетиці. Виявлено, що завдяки осадженню АВП к.к.д. сонячних елементів (СЕ) на основі мультикристалічного кремнію можна збільшити практично в 1,3 рази та вперше показана перспективність застосування АВП з низьким показником заломлення для просвітлення контактних шарів ZnO(Al) в тонкоплівкових сонячних елементах. Вперше встановлено, що метод ГДО дозволяє отримати кремнієві шари на металевих підкладинках з високою адгезією. При цьому структура отриманих шарів близька до структури вихідного порошку, а їх рекомбінаційні характеристики близькі до характеристик вихідного матеріалу. Показано, що поверхня отриманого покриття є розвиненою за рахунок чого втрати на відбивання світла в області фоточутливості кремнієвого СЕ різко зменшуються. Запропоновано новий метод формування електродних структур на основі композитів кремній-вуглець для сучасних енергонакопичуючих приладів. Метод базується на застосуванні оптимізованої технології ГДО і дозволяє отримувати електродні шари з високими електрохімічними характеристиками (електрохімічна ємність вище 1000 мАгод/г) та високою циклічною стійкістю (збереження ємності на рівні 1200 мАгод/г при 200 циклах заряд-розряд).

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники
  • УДК // Ніздрювата структура. Плівки, Тонкі плівки. Променеві структури



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека Харківського національного університету радіоелектроніки 1 Перейти на сайт