Пояснительная записка: 60 стр., 13 рис., 5 табл., 2 приложений, 36 источников. Объект исследования - кремниевая p-i-n структура. Цель работы - теоретическое исследование переноса заряда (электронного транспорта) в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Метод исследования теоретический. В данной работе был проведен расчет и анализ характеристик электронной плотности и плотности тока для кремниевой p-i-n структуры. Результаты были получены на основе модели гамильтониана Новаковича и согласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона. Были рассчитаны динамические зависимости электронной плотности и плотности тока с учетом немарковской природы распределения электронов. Также были рассмотрены вопросы по охране труда для исследовательской лаборатории. Проанализированы условия труда в промышленном помещении, система "Человек - Машина - Среда" для пользователя ЭВМ, рассмотрены нормы промышленной безопасности, производственной санитарии и обеспечения пожарной безопасности в помещении исследовательской лаборатории. Также было проведено экономическое обоснование научно-исследовательской работы. Были проведены расчеты основных этапов НИР. Данная оценка результатов НИР. А также вычислен коэффициент "эффект - затраты". p-i-n СТРУКТУРА, УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА, ФУНКЦИЯ ФЕРМИ-ДИРАКА, ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ, ПЛОТНОСТЬ ТОКА, НЕМАРКОВСКИЕ ЭФФЕКТЫ The thesis consist of: 60 p., 13 fig., 5 tables, 2 appendices, 36 sources (references) The subject of the study - silicon p-i-n structure. Purpose - theoretical investigation of electron transport in low-dimesional 2D semiconductor structure with non-markovian effects taked to account. In diploma theses the calculation and analysis of electron and current density for silicon p-i-n structure were provided. All results were obtained on the basis of the Hamiltonian created by Novakovich and Poisson-Shrodinger numerical solver. The spectral characteristics were approximated by a Gaussian function. The current and electron density were calculated with non-markovian approach of electron distribution. Also the issues of health and safety for the research laboratory were provided. The conditions of labor in the industrial premises, the system "man - machine - environment" for computer users are considered as a standards of industrial safety, industrial hygiene and fire safety of research lab. Also economical justification of research work was made. The milestones of research were grounded economically and the assessment of the results was given. P-I-N STRUCTURE, SHRODINGER EQUATION, FERMI-DIRAC FUNCTION, ELECTRON DENSITY, CURRENT DENSITY, NONMARKOVIAN EFFECTS. Пояснювальна записка: 60 с., 13 рис., 5 табл., 2 додатки, 36 джерел. Об'єкт дослідження - кремнієва p-i-n структура. Мета роботи - теоретичне дослідження переносу заряду (електронного транспорту) в низькорозмірній двомірній напівпровідниковій структурі з урахуванням немарківських ефектів. Метод дослідження теоретичний. В даній роботі був проведений розрахунок і аналіз характеристик електронної щільності і щільності току для кремнієвої p-i-n структури. Результати були отримані на основі моделі гамільтоніана Новаковича і вирішенні рівнянь Шредінгера та Пуасона. Були розраховані динамічні залежності електронної щільності та щільності току з врахуванням немарківської природи розподілу електронів. Також були розглянуті питання з охорони праці для дослідницької лабораторії. Проаналізовані умови праці в промисловому приміщенні, система "Людина - Машина - Середовище" для користувача ЕОМ, розглянуті норми промислової безпеки, виробничої санітарії та забезпечення пожежної безпеки в приміщенні дослідницької лабораторії. Також було проведено економічне обґрунтування НДР, присвяченої дослідженню спектральних характеристик одномолекулярних транзисторів з різними типами контактів. Були проведені розрахунки основних етапів НДР. Дана оцінка результатів НДР. А також вирахувано коефіцієнт "ефект - витрати". p-i-n СТРУКТУРА, РІВНЯННЯ ШРЕДІНГЕРА, ФУНКЦІЯ ФЕРМІ-ДІРАКА, ЕЛЕКТРОННА ЩІЛЬНІСТЬ, ЩІЛЬНІСТЬ ТОКУ, НЕМАРКІВСЬКІ ЕФЕКТИ
