Пояснювальна записка містить: 96 сторінок, 30 рисунків, 4 таблиці, 23 джерела. Об'єкт дослідження - активна область електрооптичного модулятора у вигляді двошарової симетричної квантово-розмірної структури, створеної на основі напівпровідникових сполук . В роботі розглянуто зміну енергетичних станів частинок і квазічастинок в двобар?єрній наноструктурі під впливом зовнішнього стаціонарного електричного поля. Визначена прозорість структури та показано її вплив на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду. Для вирішення поставленої задачі була розв?язана система рівнянь Шредінгера для розглянутої структури в наближенні теорії збурень. РЕЗОНАНСНЕ ТУНЕЛЮВАННЯ, ДВОБАР'ЄРНА НАНОСТРУКТУРА, МОДУЛЯЦІЯ, НАНОСТРУКТУРА, ГЕТЕРОПЕРЕХІД, КЕРУЮЧА НАПРУГА. Пояснительная записка содержит: 96 страниц, 30 рисунков, 4 таблицы, 23 источника. Объект исследования - активная область электрооптичекого модулятора в виде двухслойной симметричной квантово-размерной структуры, созданной на основе полупроводниковых соединений . Цель работы - является исследование туннельной прозрачности двухбарьерной активной области резонансно-туннельного диода и определение его вольтамперной характеристики. В работе рассмотрено изменение энергетических состояний частиц и квазичастиц в двухбарьерной наноструктуре под действием внешнего стационарного электрического поля. Определена прозрачность структуры и показано ее влияние на вольт-амперную характеристикурезонансно-туннельного диода. Для выполнения поставленной задачи была решена система уравнений Шредингера для рассматриваемой структуры в приближении теории возмущений. РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ, ДВУХБАРЬЕРНАЯ НАНОСТРУКТУРА, МОДУЛЯЦИЯ, НАНОСТРУКТУРА, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, УПРАВЛЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИ The explanatory note contains: 96 pages, 30 drawings, 4 tables, 23 sources. Object of research - active area electro-optical the modulator in the form of the two-layer symmetric kvantovo-dimensional structure created on the basis of semiconductor connections . The work purpose - is research of a tunnel transparency of two-barrier active area of the rezonansno-tunnel diode and its definition volt-amperes characteristics. In work change of power conditions of particles and qvazipart in two-barrier nanostructure under the influence of external stationary electric field is considered. The transparency of structure is defined and its influence on volt-ampernuju characteristic rezonansno-tunnel diode is shown. For task in view performance the system of equations Schredinger for considered structure in approach of the theory of indignations has been solved. RESONANT TUNNELING, TWO-BARRIER NANOSTRUCTURE, MODULATION, NANOSTRUCTURE, THE HETEROTRANSITION, OPERATING PRESSURE.

• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Дипломні роботи кафедри Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕПП)