Мета роботи – розробка математичної моделі залежності поглинаючої здатності напівпровідників від товщини поглинаючого шару: кристалічного кремнію (c-Si) та аморфного кремнію(a-Si), а також математичної моделі струмопереносу цієї структури. Метод досліджень – пошук в інтернеті використання наукових журналів, виконання розрахунків з допомогою програми MathCAD 14. У розділі "Охоро напраці" проведено аналіз системи "людина-машина-середовище", виявлено небезпечні та шкідливі фактори і методи їх локалізації відповідно до стандартів. У четвертому розділі наведено економічне обгрунтування дипломної роботи. МОДУЛЬ, ФОТОЕЛЕМЕНТИ, МОНОКРИСТАЛІЧНИЙ КРЕМНІЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНИЙ КРЕМНІЙ, ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ, СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ. Объект исследования –фотопреобразователь на основе гетероперехода a-Si:H/:c-Si. Цель работы –разработка математической модели зависимости поглощающей способности полупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния (c-Si) и аморфного кремния (a-Si), а также математической модели токопереноса этой структуры. Методи исследований –поиск в интернете использования научных журналов, выполнения расчетов с помощью программы MathCAD 14. В разделе "Охрана труда" проведен анализ системы "человек-машина-среда", обнаружены опасные и вредные факторы и методы их локализации в соответствии со стандартами. В четвертом разделе приведено экономическое обоснование дипломной работы . МОДУЛЬ, ФОТОЭЛЕМЕНТ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ, ПОГЛОЩАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ, СПЕКТР ИЗЛУЧЕНИЯ.
