інтегральні мікросхеми, ІМС, интегральные микросхемы, ИМС, integrierte Mikroschaltungen ; електромагнітне поле, электромагнитное поле, electromagnetic field

Григор'єв Є.В. Вплив імпульсних електромагнітних полів на елементи інтегральних микросхем.-Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за специальністю 05.27.01 - твердотильна електроніка. ХНУРЕ, Х., 2004. Дисертаційна робота присвячена з'ясуванню причин та характеру розвитку фіхичних процесів у мікроструктурних елементах микросхем під впливом імпульсних електромагнітних полів. Проведений цикл експериментальних досліджень дозволив визначити найменш стійкий елемент мікросхем - провідні доріжки та контактні площадки. Встановлено вплив поляризаційного фактора на граничні значення напруженності ТЕМП,при яких у мікросхемах починаються деградаційні процеси та значення полів,що призводять до катастрофічних відмов. У дисертації новим є результати експериментальних досліджень і теоретичне моделювання впливу імпульсних електромагнітних полів на мікроструктурні елементи мікросхем. Практичне застосування одержаних результатів дозволить підвищити надійність роботи ІМС при впливі ТЕМП.

• УДК // Впливи електромагнітних коливань