Целью работы явилось исследование закономерностей роста пленок V. Co, Ti, W. осажденных на поверхность Si, SiO2, сапфира, а также их силицидов, сформированных при взаимодействии металлов с кремнием, и роли различных технологических факторов, определяющих электрические , в том числе и сверхпроводящие параметры этих пленок и контактов силицид-кремний.
