аморфні тонкоплівкові структури, аморфные тонкопленочные структуры ; властивості, свойства

Приведены результаты исследований влияния базовых технологических факторов: температуры осаждения пленки, давления газовой смеси и скорости ее прокачки через рабочий объем камеры на концентрацию водорода в осажденных аморфных пленках a-Si:Н. Исследованы зависимости темновой и фотопроводимости, коэффициента оптического поглощения и ширины запрещенной зоны указанных пленок от параметра Сн, а также их температурные характеристики. Для аналитического описания исследованных зависимостей предложены аппроксимационные модели.

Радиотехника [Текст] : всеукр. межвед. науч.-техн. сб. / МО Украины, Харьк. техн. ун-т радиоэлектроники; редкол. : М. Ф. Бондаренко (отв.ред.) и др. — Харьков : ХТУРЭ, 1996. — 287 с.

• Праці співробітників ХНУРЕ // Герасименко Микола Вікторович, Герасименко Николай Викторович
• УДК // Електронні напівпровідники
• Праці співробітників ХНУРЕ // Письменецький Віктор Олександрович, Письменецкий Виктор Александрович
• Праці співробітників ХНУРЕ // Сліпченко Микола Іванович, Слипченко Микола Иванович, Slipchenko M. I.