високочастотний електронний струм, высокочастотный электронный ток ; негативна диференційна провідність, отрицательная диференциальная проводимость ; тунельні перехіди, туннельные переходы ; тунельний магнітоімпеданс, туннельный магнитоимпеданс ; тунелювання електронів, туннелирование электронов

В режимі одноквантових електронних переходів аналітично отримані вирази для густини високочастотного електронного струму крізь нестаціонарні немагнітні та магнітні тунельні переходи. Знайдено негативну диференційну провідність немагнітних наноструктур в терагерцовій області частот при надбар'єрному проходженні моноенергетичного потоку електронів крізь нестаціонарний тунельний перехід. Визначено оптимальні бар'єрні параметри та область частот для найкращого спостереження ефекту негативної диференційної провідності. Несиметрія геометричної форми потенційного бар'єра нестаціонарного тунельного переходу може приводити як до збільшення, так і до зменьшення величини гігантського тунельного магнітоімпедансу. Визначено параметри нестаціонарного магнітного тунельного переходу, які дозволяють отримати максимальні значення тунельного магнітоімпедансу. Проведене дослідження є важливим для створення нових активних та пасивних високочастотних наноприладів, що працюють у терагерцовій області частот.

• УДК // Пасивні двополюсники з ємністю та індуктивністю, з опором або без нього
• УДК // Хвилеводи