Об'єкт дослідження - фізичні процеси, що проходять в приладах та пристроях силової електроніки, котрі безпосередньо впливають на роботу силових транзисторів. Мета роботи - розвиток загальної теорії IGBT і MOSFET транзисторів в напрямку фізики процесів, що проходять як в самих напівпровідникових приладах, так і в спряжених елементах (імпульсних трансформаторах, силових приводах, високочастотних випрямлячах , дроселях, фільтруючих елементах). Метод досліджень - моделювання фізичних процесів в IGBT, чисельне моделювання процесів комутації силових ключів, аналіз викривлення форм сигналів управління затворами транзисторів, фізичний експеримент. Виконаний аналіз: динамічних втрат в імпульсних перетворювачах на IGBT транзисторах, режимів роботи резонансних перетворювачів електричної енергії, можливості використання снаберів для зниження динамічних втрат на транзисторах, відновлення гармонічних сигналів з допомогою широтно-імпульсної модуляції, вплив тривалості фронтів імпульсів перемикання IGBT та MOSFET на ефект спонтанної затримки, збільшення тривалості "хвоста" струму при виключенні транзистора. Отриманні результати свідчать про актуальність розвитку даного напрямку та вказують на перспективність досліджень у даній сфері. СИЛОВА ЕЛЕКТРОНІКА, ТРАНЗИСТОР, ІМПУЛЬСНИЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ, СНАБЕР, ШИРОТНО ІМПУЛЬСНА МОДУЛЯЦІЯ. Объект исследования - физические процессы, происходящие в приборах и устройствах силовой электроники, непосредственно влияющие на работу силовых транзисторов. Цель работы - развитие общей теории IGBT и MOSFET транзисторов в направлении физики процессов, происходящих как в самих полупроводниковых приборах, так и в сопряженных элементах (импульсных трансформаторах, силовых приводах, высокочастотных выпрямителях, дросселях, фильтрующих элементах и т.п.). Метод исследований - моделирование физических процессов в БТИЗ, численное моделирование процессов коммутации силовых ключей, токопереноса, анализ искажения форм сигналов управления затворами транзисторов, физический эксперимент. Выполнен анализ: динамических потерь в импульсных преобразователях на IGBT транзисторах, режимов работы резонансных преобразователей электрической энергии, возможности применения снабберов для снижения динамических потерь на транзисторах, восстановления гармонических сигналов посредством широтно-импульсной модуляции, влияние длительности фронтов импульсов переключения IGBT и MOSFET на эффект спонтанной задержки, увеличение длительности "хвоста" тока при выключении транзистора. Полученные результаты показывают актуальность развития данного направления и указывают на перспективность исследований в данной области. СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ТРАНЗИСТОР, ИМПУЛЬСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СНАББЕР, ШИРОТНО ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ. Object of research - physical processes in devices of power electronics, directly affecting the operation of the power transistors. The work purpose - development of a General theory IGBT and MOSFET transistors in the direction of the physics of the processes taking place both in the semiconductor devices and adjoint elements (pulse transformers, power drives, high-frequency rectifiers, chokes, filter elements and other) Method of researches - modeling of physical processes in IGBTs, numerical simulation of the processes of switching power switches, the current transport, analysis of the distortion of the forms of control signals transistor gates, physical experiment. Analysis: dynamic losses in pulse inverters on IGBT transistors, resonant modes of electrical energy converters, the use of cabbarov to reduce the dynamic loss on the transistor, recovery harmonic signals by means of pulse-width modulation, the influence of duration of a pulse edge switching IGBT and MOSFET on the effect of spontaneous delays, increasing the duration of the "tail" of current when you turn off the transistor. The received results show an urgency of development of the given direction and specify in perspectivity of researches in the field. POWER ELECTRONICS, TRANSISTOR SWITCHING CONVERTER, SNUBBER, PULSE WIDTH MODULATION.
