Об'єктом дослідження є двошарова квантово - розмірна структура, створена на основі напівпровідникових сполук , залежно від ширини квантово - обмеженого шару. Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на ВАХ резонансно - тунельного діоду. У роботі проведено огляд існуючих квантово - механічних підходів моделювання резонансно - тунельних діодів, здійснено математичне проектування двошарової квантово - розмірної структури. ЕЛЕКТРОН, ДІРКА, КВАНТОВО - РОЗМІРНА СТРУКТУРА, КВАНТОВЕ ОБМЕЖЕННЯ, ДОВЖИНА ХВИЛІ ДЕ - БРОЙЛЯ Объектом исследования является двухслойная квантово - размерная структура, созданная на основе полупроводниковых соединений группы . Целью работы является исследование влияния структурных и электрофизических параметров активной области на ВАХ резонансно - туннельного диода В работе проведен обзор существующих квантово - механических подходов моделирования резонансно - туннельных диодов, осуществлено математическое проектирование двухслойной квантово - размерной структуры. ЕЛЕКТРОН, ДЫРКА, КВАНТОВО - РАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА, КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ, ДЛИНА ВОЛНЫ ДЕ - БРОЙЛЯ

• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Дипломні роботи кафедри Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕПП)
• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Магістерські атестаційні роботи кафедри МЕПП