Об'єкт дослідження - флеш-пам'ять на основі квантової точки. Мета роботи - дослідження перерозподілу заряду в квантовій точці у циклі перезапису флеш-пям'яті. Метод дослідження - квантово-механічне моделювання хвилевих функцій електронів та дірок в області квантової точки флеш-пам?яті. Виконано огляд існуючих та перспективних технологій флеш-пам'яті, зроблено описання принципу роботи комірки пам'яті на основі квантової точки, розроблена математична модель руху заряджених часток в квантоворозмірних структурах елементу пам'яті на основі квантової точки. Отримані результати показують актуальність даного напрямку розвитку технологій пам'яті й вказують на перспективність подальших досліджень у даній області. ФЛЕШ-ПАМ'ЯТЬ, КВАНТОВА ТОЧКА, ЗАРЯДЖЕНА ЧАСТКА, ЕНЕРГІЯ, МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ, ЗОННА ДІАГРАМА. Объект исследования - флеш-память на основе квантовой точки. Цель работы - исследование перераспределения заряда в квантовой точке в цикле перезаписи флеш-памяти. Метод исследования - квантово-механическое моделирование волновых функций электронов и дырок в области квантовой точки флеш-памяти. Выполнен обзор существующих и перспективных технологий флеш-памяти, сделано описание принципа работы ячейки памяти на основе квантовой точки, разработана математическая модель движения заряженных частиц в квантоворазмерных структурах элемента памяти на основе квантовой точки. Полученные результаты показывают актуальность данного направления развития технологий памяти и указывают на перспективность дальнейших исследований в данной области. ФЛЕШ-ПАМЯТЬ, КВАНТОВАЯ ТОЧКА, ЗАРЯЖЕННАЯ ЧАСТИЦА, ЭНЕРГИЯ, МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ, ЗОННАЯ ДИАГРАММА. Object of study - a flash memory based on quantum dot. Objective - study of charge redistribution in a quantum dot in the cycle rewriting the flash memory. Method of research: quantum-mechanic modeling of wave functions of electrons and halls in quantum dot area in the flesh-memory device. Was done a review of existing and emerging technologies of flash memory, made mode of operation based on the memory of the quantum dot , developed a mathematical model of the motion of charged particles in quantum well structures of the memory element based on quantum dots. The results show the relevance of this direction of development of memory technology and point to the fact that further research in this area. FLASH MEMORY, QUANTUM DOTS, CHARGED PARTICLES, ENERGY, MATHEMATICAL MODEL, BAND DIAGRAM.

• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Дипломні роботи кафедри Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕПП)
• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Магістерські атестаційні роботи кафедри МЕПП