Мета роботи : вивчення фото- і електролюмінесценції в кубічних кристалах CdTe, GaAs. Об'єкт дослідження - монокристали арсеніду галію і теллурида кадмію чисті і легування. Метод дослідження - вимір спектрів випромінювання методом фото- і електролюмінесценції при температурах (77…300?К). Дослідження оптичних властивостей напівпровідникових кристалів з'єднань AIII BV і AIIBVI. Низькотемпературні дослідження фотолюмінесценції на чистих кристалах і плівках. Розглянуті спектри поглинання, отримані на експериментальній установці при температурах 77...300?К. Були досліджені кристали CdTe, GaAs та їх спектри випромінювання. ЕКСИТОН, ПОГЛИНАННЯ, КРИСТАЛИ, ФОТОСТРУМ, НАПІВПРОВІДНИКОВИЙ ЛАЗЕР, СПЕКТР, ВИПРОМІНЮВАННЯ, ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ЕНЕРГЕТИЧНІ ЗОНИ, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ. Цель работы: изучение фото- и электролюминесценции в кубических кристаллах CdTe,GaAs. Объект исследования - монокристаллы арсенида галлия и теллурида кадмия чистые и легирование. Метод исследования - измерение спектров излучения методом фото- и электролюминесценции при температурах (77…300?К). Исследование оптических свойств полупроводниковых кристаллов соединений AIII BV и AIIBVI. Низкотемпературные исследования фотолюминесценции на чистых кристаллах и пленках. Рассмотрены спектры поглощения, полученные на экспериментальной установке при температурах 77…300? К. Были исследованы кристаллы CdTe, GaAs и их спектры излучения. ЭКСИТОН, ПОГЛОЩЕНИЕ, КРИСТАЛЫ, ФОТОТОК, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, СПЕКТР, ИЗЛУЧЕНИЕ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ.
