Объект исследования - тандемный трехпереходной фотопреобразователь на основе GaAs. Целью данной дипломной работы является оптимизация фотопреобразователя на основе GaAs с целью улучшения его параметров. Методы исследования - численный эксперимент. Исследован диффузионно-туннельный механизм токопереноса в однопереходной германиевой фотоячейке, как базовом элементе тандемного фотопреобразователя GaInP/GaInAs/Ge с учетом основных макропараметров. Выполнено экспериментальное исследование характеристик указанного солнечного елемента в зависимости от температуры. Также описаны основные этапы построения и оптимизации трехпереходных солнечных элементов. В работе освещены технологические особенности изготовления трехпереходных солнечных элементов и спроектирован технологический маршрут изготовления гетероструктуры GaInР/GaInAs/Ge. Описана методика контроля и измерение выходных параметров гетерофотопреобразователей. Рассмотрено перечень вредных и опасных факторов в помещении лаборатории компьютерного моделирования солнечных элементов. Рассмотрены вопросы производственной санитарии, гигиены труда. Проанализированы возможные причины возникновения пожара. Проведено экономическое обоснование целесообразности проведения научно-исследовательской работы. ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, GaAs, ТОКОПЕРЕНОС, ТАНДЕМНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ, ОПТИМИЗАЦИЯ Об'єкт дослідження - тандемний трьохперехідний фотоперетворювач на основі GaAs. Метою даної дипломної роботи є оптимізація фотоперетворювача на основі GaAs з метою поліпшення його параметрів. Методи дослідження - чисельний експеримент. Досліджено дифузійно-тунельний механізм токопереносу в одноперехідний германієвій фотокомірці, як базовому елементі тандемного фотоперетворювача GaInP/GaInAs/Ge з урахуванням основних макропараметрів. Виконано експериментальне дослідження характеристик зазначеного сонячного елементу залежно від температури. Також описані основні етапи побудови та оптимізації трьохперехідних сонячних елементів. У роботі освітлено технологічні особливості виготовлення трьохперехідних сонячних елементів і спроектований технологічний маршрут виготовлення гетероструктури GaInР/GaInAs/Ge. Описана методика контролю і вимірювання вихідних параметрів гетерофотоперетворювачів. Розглянуто перелік шкідливих і небезпечних факторів в приміщенні лабораторії комп'ютерного моделювання сонячних елементів. Розглянуто питання виробничої санітарії, гігієни праці. Проаналізовано можливі причини виникнення пожежі. Проведено економічне обгрунтування доцільності проведення науково-дослідної роботи. ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧ, GaAs, СТРУМОПЕРЕНОС, ТАНДЕМНИЙ СОНЯЧНИЙ ЕЛЕМЕНТ, ГАЗОФАЗНА ЕПІТАКСІЯ, ОПТИМІЗАЦІЯ

• Дипломні роботи студентів ХНУРЕ // Дипломні роботи кафедри Мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕПП)