іонна імплантація, ионная имплантация ; високоенергетичні джерела, высокоэнергетические источники ; дефекти, дефекты ; легкі домішки, легкие примеси ; легування, легирование ; термообробка, термообработка ; технологічні режими, технологические режимы

Здійснено аналіз можливостей отримання високолегованих приконтактних шарів з використанням високоенергетичних джерел випромінювання та термообробки для далекого ІЧ-діапазону з малою концентрацією домішок. Розроблено комп'ютерну модель процесів захоплення домішки фосфору в процесі високоенергетичної імплантації кремнію на межі розділу, модель просторового розподілу вільних носіїв, що генеруються в напівпровіднику випромінюванням, які дозволили запропонувати рекомендації щодо проведення процесів легування домішками та оптимізації технологічних параметрів. Знайдено технологію виготовлення приладових кремнієвих структур методом іонної імплантації з двоступеневим електронним відпалом, яка дозволяє отримати максимальні концентрації домішок, що значно (2,5 рази) перевищує межу рівніважної розчинності. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила.

• УДК // Електронні напівпровідники