діоди з бар'єром Шотткі, диоды с барьером Шоттки ; детектори іонізуючого випромінювання, детекторы ионизирующего излучения ; самокомпенсація, самокомпенсация

Вперше аналітично обгрунтовано властивості кристалів CdTe і Cd_1-x Zn _xTe, легованих елементами III або VII групи періодичної системи (СІ, In), через утворення самокомпенсованих комплексів. Запропоновано й обґрунтовано теоретичну модель, яка дозволяє розрахувати спектральний розподіл ефективності детектування Х/у-променів в кристалах CdTe і Cd 0,9 Zn 0,1Te. Встановлено кореляцію концентрації нескомпенсованих домішок у кристалах з ефективністю збирання фотогенерованого заряду в детекторах з діодами Шотткі. Вперше показано, що тонкі шари (плівки) CdTe з діодом Шотткі загалом не поступаються технологічно складнішим детекторам на напівізолюючому CdTe і можуть слугувати альтернативою існуючим детекторам Х-променевого зображення на основі селену (a-Se). Запропоновано нову методику визначення енергії іонізації домішки і ступеня компенсації та три незалежні методики визначення концентрації нескомпенсованих домішок (дефектів) — одного з ключових параметрів матеріалу.

• УДК // Загальні питання
• УДК // Фотодіоди