детектування, детектирование ; польові транзистори, ПТ, полевые транзисторы, field transistors ; терагерцове випромінювання, терагерцовое излучение

Дисертація спрямована на дослідження фізичних механізмів чутливості приймачів терагерцового випромінювання на основі напівпровідникових польових транзисторів та їх застосування в системах детектування працюючих в реальному масштабі часу при кімнатних температурах. Вперше встановлені межі лінійності відгуку польових транзисторів як приймачів ТГц/суб-ТГц випромінювання та визначено області переходу від лінійних залежностей до насичення вихідних сигналів приймачів на основі кремнієвих транзисторів комплементарної структури метал-оксидний-напівпровідникових та транзисторів з високою рухливістю електронів. Розроблена модель, що аналітично дозволяє описувати експериментальні дані, як в області лінійного відгуку від потужності падаючого випромінювання, так і в області насичення відгуку. Вперше доведено, що насичення сигналу приймача обумовлено насиченням струму в каналах польових транзисторів.

• УДК // Загальні питання радіоприймачів та радіоприймальних схем. З'єднання з антеною
• УДК // Квантова оптика
• УДК // Типи коливань. Діапазони частот та довжинних хвиль