дипольні матричні елементи, дипольные матричные элементы ; екситони Ваньє-Мотта, экситоны Ванье-Мотта ; зонні структури, зонные структуры ; квантові ями, квантовые ямы ; напівпровідникові нітриди, полупроводниковые нитриды ; п'єзоелектричний ефект, пьезоэлектрический эффект

У дисертаційній роботі проведено теоретичне дослідження оптичного відгуку InGaN/GaN напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Досліджено спільний вплив п'єзоелектричного ефекту, екранування електронно-діркової плазми та поверхневої сегрегації індію на потенціальний рельєф, дипольний матричний елемент міжзонних оптичних переходів, зонну структуру енергетичних станів та спектральні характеристики поглинання та підсилення з урахуванням колективних ефектів. У результаті дослідження було встановлено, що поверхнева сегрегація індію призводить до зміщення енергетичних зон електронів та дірок, що в свою чергу, призводить до зміщення червоної границі поглинання в область високих частот. Величина зміщення зростає зі збільшенням молярної частки індію в квантовій ямі. Колективні ефекти призводять до зміщення спектральних характеристик підсилення в область низьких частот внаслідок ефектів обміну. П'єзоелектрична поляризація обумовлює затухання екситонних резонансів та зменшення коефіцієнтів поглинання та підсилення.

• УДК // Спектри поглинання твердих тіл