Об'єктом досліджень є напівпровідниковий детектор на основі ZnSe. Метою роботи є вивчення температурної залежності характеристик детектора. У роботі розглянуті основні типи напівпровідникових детекторів, описаний принцип їх роботи. Проведено огляд матеріалів та методів вирощування напівпровідникових кристалів. Особливу увагу приділено властивостям селеніду цинку. У ході досліджень була вивчена ефективність роботи ZnSe-детектора при різних температурах. ДЕТЕКТОР, БАР'ЄР, НАПІВПРОВІДНИК, ВИПРОМІНЮВАННЯ, СПЕКТР, МЕТАЛ, ХАРАКТЕРИСТИКИ, КРИСТАЛ, ЕНЕРГІЯ, ЕФЕКТИВНІСТЬ, СТРУКТУРА, СЕЛЕНІД ЦИНКУ. Объектом исследований является полупроводниковый детектор на основе ZnSe. Целью работы является изучение температурной зависимости характеристик детектора. В работе рассмотрены основные типы полупроводниковых детекторов, описан принцип их работы. Проведен обзор материалов и методов выращивания полупроводниковых кристаллов. Особое внимание уделено свойствам селенида цинка. В ходе исследований была изучена эффективность работы ZnSe-детектора при различных температурах. ДЕТЕКТОР, БАРЬЕР, ПОЛУПРОВОДНИК, ИЗЛУЧЕНИЕ, СПЕКТР, МЕТАЛЛ, ХАРАКТЕРИСТИКИ, КРИСТАЛЛ, ЭНЕРГИЯ, ЭФФЕКТИВНОСТЬ, СТРУКТУРА, СЕЛЕНИД ЦИНКА.
