|
-
Ключові слова:
напівізолюючий арсенід галію, полуизолирующий арсенид галлия ; рекомбінаційна нестійкість струму, рекомбинационная неустойчивость тока ; функціональна електроніка,функциональная электроника
-
Анотація:
Приведены результаты экспериментального исследования влияния различных факторов (расстояние между контактами, тип контактов, марка исходных пластин) на возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных планарно-эпитаксиальных структурах на основе высокоомного полуизолирующего арсенида галлия n-типа. Установлено, что расстояние между анодным и катодным контактами является определяющим фактором, обусловливающим возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в таких структурах.
-
Є складовою частиною документа:
| 