інтерференційні фільтри, интерференционные фильтры ; епітаксія, эпитаксия ; лазерна обробка, лазерная обработка ; монокристали, монокристаллы ; плівки, пленки

Розроблено методику нарощування шарів In4Se3, IN4Te3 та СdSb методом електрорідинної епітаксії. Проведена модифікація структурно-фазового стану епітаксійних шарів імпульсним випромінюванням мілісекундного лазера. Досліджена структура і хімічний склад епітаксійних шарів і плівок методами атомно-силової та растрової електронної мікроскопії. Досліджені спектральні характеристики і основні параметри фоточутливості гетеропереходів. Розраховані і отримані відрізаючі інтерференційні фільтри на підкладках з кристалів Іn4(Se3)_ 1-xTe3x, CdSb, In4Se3 з різним положенням границі відрізання випромінювання в близькій та середній ІЧ- області.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Світлофільтри