монокристалічні кремнієві сонячні елементи, монокристаллические кремниевые солнечные элементы ; низькорозмірні покриття, низкоразмерные покрытия ; пористий кремній, пористый кремний ; фталоціаніни, фталоцианины

Запропоновано новий спосіб виготовлення контактного шару на антивідбиттєвому покритті сонячних елементів (СЕ), що включає електрохімічне травлення на лицьовій стороні кремнієвої підкладки для утворення антивідбиттєвого покриття (АВП) і нанесення контактної мережі. Наведено методику мікропрофілювання фронтальної поверхні пластини Si, як АВП СЕ. Вдосконалено методику визначення опорів розтікання і металізації за фрактограмами та вдосконалено апаратуру управління процесами легування киснем. Конструкторсько - технологічні розробки реалізовані і впроваджені на ВАТ «Кремнійполімер», м. Запоріжжя (акт впровадження від 15.01.2011 p. і економічний ефект від впровадження 42000 грн.) і ПраТ «Заводнапівпровідників», м. Запоріжжя (акт впровадження від 05.03.2012 р. і економічний ефект від впровадження 36000 грн.).

• УДК // Фотогальванічні елементи, сонячні елементи або сонячні батареї (панелі)
• УДК // Хімічні технології