арсенід галію, арсенид галлия ; густина дислокацій, плотность дислокаций ; оптична неоднорідність, оптическая неоднородность ; оптичне поглинання, оптическое поглощение

Удосконалена технологія вирощування злитків напівізолюючого GaAs великого діаметру. Винайдені методи розрахунків полів термопружних напружень для вирощування кристалів в напрямку (100), за даним методом розроблено конструкцію теплового вузла, що дозволяє вирощувати монокристали напівізолюючого GaAs, легованого Cr. Розроблено методи визначення оптичної однорідності напівізолюючого GaAs з різними електричними властивостями. За запропонованою методикою проведені дослідження оптичних характеристик пластин GaAs з орієнтацією (100) і діаметром 100 мм, які показали наявність у площині пластини оптичних аномалій у вигляді локальних острівців. Експериментально досліджена дислокаційна структура монокристалів GaAs (діаметром до 100 мм), вирощених методом Чохральського, і встановлено, що високотемпературний відпал призводить до зниження густини дислокацій в 1,2 -1,3 рази.

• УДК // Елементи третої групи. Метали третьої групи
• УДК // Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники