|
-
Ключові слова:
вимірювання, измерения, la mesure, measurements ; екстракція, экстракция ; навантажні характеристики, нагрузочные характеристики ; надвисокочастотні транзистори, НВЧ транзистори, сверхвысокочастотные транзисторы, СВЧ транзисторы ; нелінійні моделі, нелинейные модели ; GaN HEMT
-
Анотація:
Рассмотрена формализованная методика, позволяющая на основе измеренных малосигнальных S-параметров и вольт-амперных характеристик выполнить экстракцию параметров нелинейной модели EEHEMT полевого СВЧ транзистора. В качестве примера построена модель отечественного 0,15 мкм GaN HEMT транзистора, работающего в диапазоне миллиметровых волн. Правильность и точность построения нелинейной модели верифицируется при помощи измерений выходной мощности и нагрузочных характеристик транзистора в режиме большого сигнала.
-
Є складовою частиною документів:
-
Теми документа
|
