арсенід галію, арсенид галлия ; відпал, отжиг ; густина дислокацій, плотность дислокаций ; залишкові напруження, остаточные напряжения ; неруйнівний контроль, неразрушающий контроль

За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності С11, С12, C44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема: методику, пристрій «Полярон - 4» та удосконалено метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaAs; методику, пристрій «ТВ-Діслок 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaAs; методику, пристрій «АКІДП - 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaAs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaAs, яка забезпечила підвищення якості підкладок GaAs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10%, зменшення щільності дислокацій на 12%, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5-7 %.

• УДК // Інші електровимірювальні прилади
• УДК // Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення