вольт-амперні характеристики, ВАХ, вольт-амперные характеристики ; вольт-фарадні характеристики, ВФХ, вольт-фарадные характеристики ; електролюмінесценція, электролюминесценция ; мікроплазми, микроплазмы ; опромінення, облучение ; фосфід галію, фосфид галлия

Досліджено вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні процеси в кристалах і світлодіодах на основі GaP та трикомпонентних сполук AlGaAs. Виявлено, що у вихідних спектрах фотолюмінесценції кристалів фосфіду галію, вирощених на основі розчину-розплаву, існують лінії екситонів, зв'язаних на атомах азоту, а також лінії, зумовлені донорно-акцепторними переходами. Опромінення y-квантами Co60 світлодіодів GaP приводять до поступового гасіння свічення. Опромінення нейтронами світлодіодів GaP уводить глибокі рівні радіаційного походження, відпал котрих починається за температури 50-70*C. Червоні світлодіоди (GaP:Zn,O), на відміну від зелених (GaP:N), мають стадію низькотемпературного відпалу (до 150*C). Опромінення електронами кристалів GaP зумовляє зміну морфології поверхні зразків-згладжування рельєфу з виникненням окремих виступів конічної форми-нано-горбів. У зворотно зміщенім діоді з ростом струму, що проиікає через нього, зростає кількість мікроплазм. Інтенсивність їхнього свічення зростає і при підвищенні температури.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Світлофільтри