діелектричні бар'єри, диэлектрические барьеры ; намагніченість, намагниченность ; напруга (ел.), напряжение (эл.) ; перпендикулярна магнітна анізотропія, перпендикулярная магнитная анизотропия ; тонкоплівкові структури, тонкопленочные структуры ; тунелювання, туннелирование

У роботі визначені оптимальні умови формування плівкових систем з перпендикулярною магнітною анізотропією (ПМА) та досліджена їх кристалічна структура. Вперше досліджено магнітні та магніторезистивні властивості тунельних переходів на основі мультишарів [Co/Ni] n та аморфного бар'єру AI2O3 у випадку паралельної та ортогональної орієнтації спонтанної намагніченості електродів. Аналіз результатів дослідження тунельних переходів V/Fe/MgO/Fe/Co дозволив визначити умови виникнення явище квантової ями на інтерфейсі V/Fe, встановити залежність ПМА ультратонкого шару Fe від полярності та значення напруги зміщення. Для магнітних тунельних переходів на основі Fe та MgO з ортогональною орієнтацією намагніченості електродів досліджено залежність опору від часу дії напруги та встановлено фактори, що викликають нестабільність опору.

• УДК // Магнітний опір
• УДК // Фізика тонких плівок, нитковидних кристалів та дендритів