імпульсне випромінювання, импульсное излучение ; вольт-амперні характеристики, ВАХ, вольт-амперные характеристики ; кристали, кристаллы, Krisrtalle, crystals ; легування, легирование ; напівпровідники, полупроводники, semiconductors, Halbleiter ; термоелементи, термоэлементы ; халькогеніди, халькогениды ; ядерні детектори, ядерные детекторы

Показано можливість застосування імпульсного лазерного опромінення монокристалів Cd(Zn)Te з густиною енергії біля порогу плавлення для підвищення однорідності поверхневого шару кристалів, модифікації його властивостей і зміни шару поверхні. Розроблено технічні методи і технологічні прийоми підготовки поверхні кристалів CdTe, нанесення на неї плівки In, лазерно-індукованого легування поверхневого шару зразків і отримання бар'єрної структури з p-n переходом для детекторів ядерного випромінювання. Розроблено методику легування халькогенідних напівпровідників А_4 В_6, яка дозволяє підвищити термоелектричну ефективність гілок термопарного елементу, виготовленого на їх основі. Уперше розроблено технологію отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів А_4 В_6 для термоелектричних перетворювачів енергії (термогенератори, термобатареї, термохолодильники).

• УДК // Група сірки. Халькогени. Халькогеніди
• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Лічильники частинок. Детектори частинок