ефект саморозігріву, эффект саморазогрева ; нітрид галію, нитрид галлия ; підсилення, усиление ; субмікронні гетероструктурні транзистори, субмикронные гетероструктурные транзисторы ; теплові поля, тепловые поля ; частотні характеристики, частотные характеристики

Рассмотрены физические процессы и факторы саморазогрева в мощном субмикронном полевом гетеротранзисторе. Предложены математические модели и проведен электротепловой анализ параметров и характеристик гетеротранзистора. На основе анализа температурных полей показано влияние тепловых процессов на параметры схемной модели и выходные частотные характеристики субмикронного гетеротранзистора. Установлена зависимость теплового сопротивления транзистора от его геометрических и теплофизических параметров. субмикронный гетероструктурный транзистор; нитрид галлия; тепловые поля; эффект саморазогрева; частотные характеристики усиления

• Известия вузов. Радиоэлектроника [Текст] // Известия вузов. Радиоэлектроника - К. : КПИ. — К. : КПИ, 2016.
• Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника [Текст] : научно-технический журнал. — К., 2016. — №2(644).

• УДК // Нанотехнологія
• УДК // Транзистори