математичні моделі, математические модели, mathematical models ; сонячні електростанції, солнечные электростанции ; сонячні елементи, солнечные элементы, solar cells ; фізика приладів, физика приборов ; фотоелектричні перетворювачі, ФОП, фотоэлектрические преобразователи, ФЭП ; фотоперетворювачі, фотопреобразователи

Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоеа перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователя.

Радиотехника [Текст] : всеукр. межвед. науч.-техн. сб. / МО Украины, Харьк. техн. ун-т радиоэлектроники; редкол. : М. Ф. Бондаренко (отв.ред.) и др. — Харьков : ХТУРЭ, 1996. — 287 с.

• Праці співробітників ХНУРЕ // Галат Олександр Борисович, Галат Александр Борисович
• УДК // Фоторезистори