напівпровідникові прилади, полупроводниковые приборы, semiconductor devices

Рассмотрены методы определения параметров центров рекомбинации в рентгеночувствительных приемниках излучения. Определены величины энергии активации зарядовых состояний рекомбинационных центров. Показано, что на рекомбинационные процессы основное влияние оказывает многозарядный центр

Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. — М., 2003. — №3.